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KTC3198-GR B1G /
KTC3198-GR B1G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极(Ic)(最大值):150mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):250mV @ 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 2mA,6V

功率 - 最大值:500mW

频率 - 跃迁:80MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

供应商器件封装:TO-92

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商KTC3198-GR B1G
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KTC3198-GR B1GTRANSISTOR, NPN, 50V, 0.15A, 120Taiwan Semiconductor CorporationTaiwan Semiconductor Corporation的LOGO211.74 Kbytes共5页KTC3198-GR B1G的PDF下载地址
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